采用反应离子刻蚀机(RIE)，用CHF3 (30sccm)气体等离子体刻蚀去除光 刻胶微圆孔中的二氧化硅薄膜；刻蚀功率为100W;刻蚀时间为50min;工作 气压为5Pa。 9.
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反应离子刻蚀机 RIE
离子束蚀刻机 ion beam etcher
性离子蚀刻机 RIE Etcher
这次推出的离子蚀刻机 ion etch
离子蚀刻机 ion etching machine
等离子蚀刻机 plasma chromatography
气体等离子蚀刻机 Gas Plasma Etcher "Plasma Reactor
离子刻蚀机
Ion etching machine
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