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网络释义

  InGaP

这层渐变式超晶格结构的能隙是介于磷化铟镓(InGaP)的能隙和砷化镓(GaAs)的能隙之间。因此能将波长响应范围提高至1.0eV,以增加波长响应频谱,并且因为渐变式超晶格结构,此区域载流...

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  GaInP

...层(N + -ohmic contact layer),不管是上电池磷化铟镓或是中电池砷化镓都具有 能隙较大的材料如磷化铟铝(AlInP)、磷化铟镓(GaInP)的窗口层(Window layer) 和背向重掺杂电场(back surface field)减少少数载子的复合;中间为二极体接 面(P-N junction)的吸收反应层...

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短语

磷化铟镓铝 InGaAlP

磷化铝铟镓 aluminium gallium indium phosphide ; AlInGaP

磷化镓铟 InGaP ; GaInP ; GaAIInP

磷铟砷化镓 GaAsInP

磷砷化铟镓 InGaAsP

磷砷化镓铟 InGaAsP

铟镓磷化物 InGaP ; GaInP

铟镓磷化铝 InGaAlP

 更多收起网络短语

双语例句

  • 方形二极管阵列包括四个集成通用磷化InP衬底上的光二极管单片集成电路,采用制造、集成测试铟镓砷化物/磷化铟半导体工艺制造。

    The Quad PD Arrays consist of four photodiodes monolithically integrated on a common indium phosphide (InP) substrate, and are fabricated using a low FIT rate InGaAs/InP semiconductor process.

    youdao

  • Luxtera设计消除使用昂贵III - V化合物半导体材料(砷化磷化铟)必要

    Luxtera's design eliminates the need to use expensive group iii-v compounds, such as gallium arsenide (GaAs) and indium phosphate (InP), in the semiconductors.

    youdao

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