2.5 碳化硅绝缘栅双极晶体管（SiC IGBT）和碳化硅晶闸管（SiC Thyristor） 在高压应用领域（5kV～10kV 以上），即使是碳化硅器件也需要一个足够的厚漂移 层来实现电导率调制。
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碳化硅晶闸管
Silicon carbide thyristor
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