...第二金属层设计为空心结构，通过所述改变可以形成一个电连接结构即可将所述第一晶圆和所述第二晶圆电连接，即通过一次硅通孔(TSV)实现上下两个晶圆的连接，而目前工艺虽然也形成硅通孔，但是它是通过两个硅通孔(TSV)，一个深硅通孔延伸至下面第一晶圆的第一顶部...
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SST-AP China 采用晶圆级封装（WLP）架构的3D互连路线可以进一步实现复杂更高的3D电互连。已经开发出一项采用3D穿透硅通孔（through-silicon vias, TSV）的工艺，该工艺包括通过旋涂或喷涂，沉积2到5 μm厚的高分子绝缘层，再电镀铜，之后再沉积高分子涂层。
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硅通孔 （ Through silicon via ）的互连技术是3D IC集成中的一种重要工艺。报道了一种高深宽比的垂直互连穿透 硅通孔 工艺,其通孔的深宽比达到50以上;研究了利用...
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硅通孔技术 TSV ; Through -Silicon-Via ; Through Silicon Via ; silicon-through-via
穿透硅通孔 TSV ; through-silicon via
透硅通孔 TSV ; through-silicon vias ; TVS
用硅通孔 through-silicon-vias ; TSV
用到了硅通孔 through-silicon-vias ; TSV
用穿透硅通孔 through-silicon-vias ; TSV
在穿透硅通孔 through-silicon-vias ; TSV
对穿透硅通孔 through-silicon-vias ; TSV
包括穿透硅通孔 through-silicon-vias ; TSV
概述当今的挑战，以及这些集成和硅通孔技术的未来趋势。
This article will review today's challenges, along with such future trends as integration and through-silicon via(TSV) technologies.
介层洞形成于螺旋图案化导体层内部的基材中，该介层洞通过硅通孔技术制成。
A via hole is formed in the substrate within the spirally patterned conductor layer, the via hole being formed by through silicon via (TSV).
将实现3d互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等，并对它们的优缺点进行了分析。
The methods of 3d interconnection can be classified into the wire bonding, flip chip, through silicon via (TSV) and film wire technology, whose advantages and disadvantages are analyzed.
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