随着器件尺寸的迅速变小，Si和Si1-xGex合金半导体材料中存在的B等掺杂剂瞬间增强扩散作用(Transient Enhanced Diffusion)不容忽视。集成的器件经过离子注入掺杂后，在退火的过程中会在注入层周围形成小的间隙原子团簇，而间隙Si原子是B等掺杂剂瞬间增强...
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瞬间增强扩散作用
Instantly enhance the diffusion effect
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