《半导体科技》 ）； 在体硅和绝缘体上硅SOI相结合的衬底上，采用高k值介质代替SiOx栅介质。在保持与SiOx相同等效氧化层厚度（EOT, equivalent oxide thickness）的前提下，高k值薄膜具有更低的漏电流。此外，SOI衬底的采用还减弱了短沟道效应； 从二维平面晶体
基于2个网页-相关网页
《半导体科技》 ）； 在体硅和绝缘体上硅SOI相结合的衬底上，采用高k值介质代替SiOx栅介质。在保持与SiOx相同等效氧化层厚度（EOT, equivalent oxide thickness）的前提下，高k值薄膜具有更低的漏电流。此外，SOI衬底的采用还减弱了短沟道效应； 从二维平面晶体
基于2个网页-相关网页
应用推荐