提供一种用于由阈值电压控制的相变随机存取存储器(PRAM)的编程方法，包括：利用编程来确定硫族化合物材料的无定形状态，从而形成具有与逻辑高和逻辑低相对应的阈值电压的编程区域；以及...
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铁电随机存取存储器(FRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)和电阻式随机存取存储器(RERAM)是能够任意访问存储器单元的非易失性随机存取存储器装置的一种。
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三星首发40nm工艺32GB闪存芯片 三星预计，到2010年基于20nm工艺的闪存芯片容量可达128MB-256MB。 三星还指出，相变随机存取存储器（Phase-change Random Access Memory，PRAM）将在未来十年内取代NOR型闪存.据三星透露，PRAM的速度和适用寿命分别为NOR的30倍和10倍。三
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