预测：2010年IT十大潜力新兴技术 阶段，甚至可能分别再不同的晶圆厂进行。 这种将多层裸晶堆栈在单一封装内部的需求，需要更细致的导线；而直通硅晶穿孔技术(through-silicon-via，TSV)能完全穿透硅晶圆或裸晶，是制造3D芯片的重要关键。Austriamicrosystems公司已在20
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这种将多层裸晶堆栈在单一封装内部的需求，需要更细致的导线；而直通硅晶穿孔技术(through-silicon-via，TSV)能完全穿透硅晶圆或裸晶，是制造3D芯片的重要关键。
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而直通硅晶穿孔技术 through-silicon-via
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