研究动机与目的研究动机与目的研究动机与目的研究动机与目的 氧化锌是一种宽直接能隙 (direct energy gap) 的二六族金属氧化物半 导体 ，其能隙约为3.3eV，在可见光波长范围内的光波大部分 ..
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MOF-5predicted by the theory is a direct bandgap semiconductor, valence bandmaximum (VBM) and the conduction band minimum (CBM) all located at theG (0,0,0) , direct energy gap of about 3．17eV, indirect energy gap of about3．18eV.
经理论预测MOF-5是一种直接能隙半导体，价带极大值(VBM)与导带极小值(CBM)都位于位于G(0，0，0)点，其直接能隙约为3.17eV，间接能隙约为3.18eV。
参考来源 - 金属有机介孔材料储氢性能的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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