利用该技术精确测量了厚度为6.0μm的铝薄膜和厚度为350nm的透明导电氧化铟薄膜（Indium tin oxide,ITO）的局域电导率,试验结果证明基于AFM的四电极微探针技术在亚微米局域电导率测量方面的能力。
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的透明导电氧化铟薄膜
Transparent conductive indium oxide film
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本文采用射频辅助脉冲激光沉积(PLD)系统，在镀有透明导电膜氧化锡铟(ito)的玻璃衬底上制备了氧化锌薄膜。
Zinc oxide thin films were prepared by pulsed laser deposition (PLD) on glass substrates coated with tin-doped indium oxide (ITO) thin films in this paper.
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