电子束激发等离子体(EBEP)CVD是一种新型的多晶矽制造路线。沉积无氢稀释的纯SiH4的Si和SiO2层上进行。
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电子束激发的等离子体 EBEP
电子束激发等离子体
Electron beam excites plasma
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不稳定性产生的可能机制是由于电子束穿过低密度本底等离子体的漂移速度超过离子声速而激发起来的。
It is suggested that the instability is excited in the low density plasma when the electron beam drift velocities exceed the ion acoustic speed.
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