氧化硅（SiO2）的蚀刻工艺进行了研究，通过使用电子束激发的等离子体（EBEP）。在调查的CF4采用稀释的Ar（Cf44/Ar）的气源，。
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电子束激发的等离子体
Plasma excited by electron beam
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不稳定性产生的可能机制是由于电子束穿过低密度本底等离子体的漂移速度超过离子声速而激发起来的。
It is suggested that the instability is excited in the low density plasma when the electron beam drift velocities exceed the ion acoustic speed.
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