Stanley Williams的领导下，成功研制了固态的忆阻器-它是由一片双层的二氧化钛(bi-level titanium dioxide)薄膜所形成，当电流通过时，其电阻值就会改变。固态的忆阻器的制造需要涉及物料的纳米技术。
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由一片双层的二氧化钛
Made of a double layer of titanium dioxide
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