穿透硅通孔:兼顾技术与成本的考虑-《集成电路应用》2009年Z2期-中国知网 3维(3D)芯片层叠的生产技术用于制造更复杂、性能更强大、更具成本效率的系统,是一个具有前景的方向。采用穿透硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的连接技术可以有效地实现这种3D芯片层叠。这个技术很快已经初具雏形:公司和研究中心已经找到许多可能的
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...和世界上的其它实验室内对3-D芯片堆叠技术进行了十多年的研究之后,目前开始在其生产线上使用穿透硅通孔(through-siliconvia,TSV),或叫做through-via,来制造芯片。
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