储存元件的形成方法、半导体元件及其形成方法 储存元件的方法包括以下步骤：提供一基板、在基板上提供多个功能部件、并在功能部件上形成富含硅的介电层。可以采用旋涂式玻璃(spin-on-glass，SOG)技术在富含硅的介电层上形成层间介电(inter-layerdielectric，ILD)或金属间介电
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可以采用旋涂式玻璃(spin-on-glass，SOG)技术在富含硅的介电层上形成层间介电(inter-layerdielectric，ILD)或金属间介电...
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