未来的解决方案：3D晶片堆叠和直通矽晶穿孔(through-silicon vias，TVS)等技术，提供了更高的晶片与晶片间导线密度；不过3D晶片堆叠的缺点是增加了采用TSV的制程成本，而由于...
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片堆叠和直通矽晶穿孔
Wafer stacking and through-hole silicon crystal piercing
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