热化学气相沉积法(thermal chemical vapor deposition)
...得到了更高催化活性的催化剂颗粒,加速了活性碳原子在催化剂中的迁移,从而提高了碳纳米管阵列的生长速率,但目前还没有找到更有力的证据。另一方面,随着铁膜的增厚其密度有显著的增加,因此碳纳米管的密度也随之增加。由于碳纳米管之间范德瓦尔斯力的作用,碳纳米管的密度越高,其准直性就越好。同时,在相同生长条件下,由于碳源气体供应速率是相同的,碳纳米管准直性的提高必然使得碳管阵列的高度增加。4结论热化学气相沉积法(TCVD)制备定向碳纳米管薄膜阵列,催化剂薄膜的氨气预处理是非常关键的。
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热化学气相沉积法(thermal chemical vapor deposition)
thermal chemical vapor deposition
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