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如何把漏电流减少到最低限度，从而获得高质量的探测器，是目前国内外正在研究的重要课题。
It is being studied in the world how to reduce leakage current and to obtain the best detector.
定性分析了高阻硅探测器表面漏电流的产生，同时介绍了一种有效降低漏电流的方法，即保护环结构。
This paper analyzes the reason producing surface leakage current of high resistivity detector, and adopts guard ring to reduce the leakage current.
该设备主要检测晶片、芯片的背景电流、漏电流、动态阻抗和C-V特性等参数，使之满足探测器要求。
The equipment mostly check up background currents, leakage-current, dynamic impedance and C-V characteristic etc.
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