...的电路的集成电路，其借助较低电压辅助而具有较高电压容差，所述集成电路包括：集成电路信号垫；第一N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管(142)，其具有耦合到所述集成电路信号垫的漏极及耦合到操作电压的栅极；第二NMOS晶体管(128)，其具有耦合到电力共用的源极...
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... 金属氧化物半导体构造 mos structure 沟道金属氧化物半导体 n channel mos ; nmos ; PMOS ; nchannelmosn 垂直金属氧化物半导体 vertical metal oxide semiconductor ...
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该预充电路径是一耦合在该电路中的时钟线“CLK”与输出节点(16)之间的P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管(40)，并且该P沟道金属氧化物半导体是配置用于在预充电相位期间，将该输出节点充电至该时钟线的逻辑高电压。
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... nchanneljunctionfetn沟道结型场效应晶体管 nchannelmosn沟道金属氧化物半导体 nchannelfetn沟道场效应晶体管 ...
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