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铝镓氮化物 AlGaN
氮化铝镓
Aluminum gallium nitride
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该方法避免了降温过程中热应力造成的晶片破裂问题，尤其适于氮化镓、氮化铝衬底的制备。
The method avoids the problem that the wafer break is caused by thermal stress in the course of cooling down, especially is suitable for preparing gallium nitride and aluminum nitride substrates.
youdao
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