...丁网 em）于工作压力10 mTorr，分别以不同温 度（50 o C、100 o C 及150 o C）备制氮化铝薄膜于氧化铟锡玻璃（indium tin oxide, ITO）、矽（silicon） 及二氧化矽（SiO 2 ）三种不同基板上，以形成AlN X /ITO Gla...
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...m）于工作压力10 mTorr，分别以不同温 度（50 o C、100 o C 及150 o C）备制氮化铝薄膜于氧化铟锡玻璃（indium tin oxide, ITO）、矽（silicon） 及二氧化矽（SiO 2 ）三种不同基板上，以形成AlN X /ITO Gla...
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本文采用射频辅助脉冲激光沉积(PLD)系统，在镀有透明导电膜氧化锡铟(ito)的玻璃衬底上制备了氧化锌薄膜。
Zinc oxide thin films were prepared by pulsed laser deposition (PLD) on glass substrates coated with tin-doped indium oxide (ITO) thin films in this paper.
报道了汞膜修饰掺锡三氧化二铟导电玻璃电极的制备及其薄层电化学池的设计，测试了电极和薄层池的光、电化学性能。
A tin doped indium trioxide conducting electrode coated with mercury film (Hg ITO) was obtained and an optically transparent thin layer electrochemical cell with Hg ITO as electrodes was designed.
分析了氧化铟锡薄膜应用于玻璃领域隔热节能的前景。
The foreground of applying indium tin oxide film to heat-insulating and energy \ | saving in glass field has been analysed.
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