氧化层贯穿针引线（Oxide Punch Through） 通常在金属氧化层半导体（MOS）上可以发现此类型之破坏，这是由于外加的静电压超过了氧化层的崩溃电压所致。
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氧化层贯穿针引线
The oxide layer penetrates the needle and thread
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