一种半导体化合物材料，优选III-N块体晶体或III-N层，其借助于氢化物气相外延法(HVPE)在反应器中制得，其中在载气混合物中，在所述反应器中形成由局部质量流率表示的流量曲线。
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氢化物气相外延法
Hydride vapor phase epitaxy method
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