在ESD作用期间，栅接地NMOS（GGNMOS）的开启时间大约在lO＂--20ns，略 等于人体模型ESD脉冲上升时间，能够较好的保护器件不受静电损伤。
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栅极接地NMOS GGNMOS
栅极接地的NMOS GGNMOS
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