本征载流子浓度（Intrinsic carrier concentration）为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度，常用值为300K时的浓度值。 本征载流子浓度与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高；与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子浓度越高。
氧化铟（In2O3 ）作为可在导电体， 其本征载流子浓度（intrinsic carrier concentration）高达1019 cm-3，既能促进光电化学光解水过程（splitting of water），在水介质中又具有稳定性。
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与常温情况相比，低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。
It is indicated that the intrinsic carrier concentration increases more rapidly with increasing the doping concentration at low...
本文提出了低温区高精度的禁带宽度的表达式，获得了低温区本征载流子浓度的简明公式。
A accurate expression for the bandgap and a simple formula for the intrinsic carrier concentration at low temperature are presented.
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