根据金属半导体接触理论，为了使金属电极的功函数与半导体材料中最高占据分子轨道(HOMO)相匹配，在器件源漏金属电极与半导体材料间引入无机氧化物-三氧化钼(MoO3)作为空穴注入层，对于pentacne和MEH晶体管而言，具有Al...
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...对前线分子轨道的贡献度 前线轨道理论认为两种分子间的相互作用主要来自 最高占据分子轨道(highest occupied molecular orbital， HOMO)与最低未占据分子轨道(1owest unoccupied mo- lecular orbital，L...
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即最高占据分子轨道 highest occupied molecular orbital
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