3-6-2 晶圆表面抛光(Wafer Polishing) 抛光是晶圆表面加工的最后一道步骤，移除量约10-20um，其目 的在改善前制程所留下之微缺陷(1)，并获得一平坦度极佳的晶 圆以满足...
基于20个网页-相关网页
晶圆表面抛光
Wafer surface polishing
以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。
目前，化学机械抛光技术(CMP)被认为是能够实现晶圆表面局部平坦化和全局平坦化的最佳方法。
At the present time, chemical mechanical planarization (CMP) is the most effective technology for global and local planarization of the wafer in IC manufacturing.
youdao
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动