...能最高的，PMOS管和NMOS管的性能相比45nm时代分别提升了19％和28％，同时密度也是最高的，晶体管栅极间距(Transistor Gate Pitch)仅为112.5nm——此值越小意味着单位面积内能够集成的晶体管数量越多，可以带来更多功能、更高性能。
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晶体管栅极间距
Transistor gate pitch
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