电子设计应用低介电常数介质多孔性对内连线可靠性的影响 德州仪器公司（TI）的Ennis Ogawa和同事研究了硅基介电质的多孔性对漏电、击穿强度（Ebd）和经时介电质击穿（Time dependent dielectric breakdown,TDDB）的影响。不出所料,他们的测试结果显示低介电常数薄膜的可靠性确实会随着多孔性的增加而变差。 更有意
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... Ogawa和同事研究了硅基介电质的多孔性对漏电、击穿强度（Ebd）和经时介电质击穿（Time dependent dielectric breakdown，TDDB）的影响。不出所料，他们的测试结果显示低介电常数薄膜的可靠性确实会随着多孔性的增加而变差。
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和经时介电质击穿 Time dependent dielectric breakdown ; TDDB
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