...As）Z艺和锗硅（Silicongermanium，SiGe）I艺在射频领域 性能上的优势，早期的射频集成电路（RadioFrequencyIntegratedCircuit，RFIC）大多采用这些工艺实现。
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低功耗二分频器和鉴频鉴相器设计 - docin.com豆丁网 or，BJT）、砷化镓（GaAs）工艺和锗硅（SiGe） 工艺在射频集成电路设计方面具有较大的优势，早期的射频集成电路（RadioFrequencyIntergrated Circuit，RFIC）大多采用这些工艺来实现。以往，人们认为CMOS工艺速度低、噪声大，不适合用 于射频电路设计。但是近几
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