Ferroelectric Random Access Memories
其中,新型非挥发铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memories,FeRAM)与传统的EEPROM和FLASH非挥发存储器相比,具有操作电压低、功耗低、信息保持时间长、写操作速度...
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其中,新型非挥发铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memories,FeRAM)与传统的EEPROM和FLASH非挥发存储器相比,具有操作电压低、功耗低、信息保持时间长、写操作速度...
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