...ixGe1-x等材料的薄膜特性，为所有磊晶技术中最佳者MBE的原理基本上和高温蒸镀法相同，操作压力保持在超真空(Ultra High Vacuum，UHV)约10-10 Toor以下，因此芯片的装载必须经过阀门的控制来维持其真空度 微影(Lithograp...
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...1-x等材料的薄膜特性，为所有磊晶技术中最佳者MBE的原理基本上和高温蒸镀法相同，操作压力保持在超真空(Ultra High Vacuum，UHV)约10-10 Toor以下，因此芯片的装载必须经过阀门的控制来维持其真空度 微影(Lithograp...
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