International Technology Roadmap for Semiconductors
基于AFM的刻线边缘粗糙度幅值与空间频率的表征方法--《纳米技术与精密工程》2008年05期 大规模集成电路和甚超大规模集成电路的发展使半导体元件的尺寸越来越小,集成度越来越高,功能越来越强大.根据国际半导体技术发展路线图(international technology roadmap for semiconductor,ITRS)2006版的规划,到2010年,刻线的半节距(线宽)将达到45nm,线宽粗糙度(line wid
基于1个网页-相关网页