飞兆半导体公司日前宣布其性能先进的PowerTrenchMOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg),并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd：Qgs)的比率,在同步降压应用中带来良好的开关性能和热效率。
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总栅极电荷
Total grid charge
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