快闪存储器（flash EPROM）是电子可擦除可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一种形式。快闪存储器允许在操作中多次擦或写，并具有非易失性，即单指保存数据而言，它并不需要耗电。快闪存储器和传统的EEPROM不同在于它是以较大区块进行数据抹擦，而传统的EEPROM只能进行擦除和重写单个存储位置。这就使得快闪在写入大量数据时具有显著地优势。
答：ZYW系列无纸记录仪采用A++级快闪存储器（Nand Flash）作为内部存储介质，不需后备电池，可掉电保存。记录数据采用压缩算法保存，保证记录数据不失真。
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Now, 180ns is used in the fabrication of the flash memory widely.
目前,180纳米的工艺正被广泛应用于各种快闪存储器芯片的设计和制造。
参考来源 - 180纳米工艺嵌入式每单元存储双比特数据的闪存程序存储器设计With development of semiconductor technology and downscaling of the memory device size, conventional poly-silicon floating gate flash memories are facing severe challenges.
随着半导体工艺技术的不断发展,存储单元特征尺寸不断减小,传统的多晶硅浮栅快闪存储器正面临着严峻的挑战。
参考来源 - 基于分离电荷存储的MOS结构存储效应及机理研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
命令数据通知快闪存储器请求何种操作。
The command data informs the flash memory of what operation is requested.
公开了用于测试快闪存储器管芯的方法、系统和设备。
The present invention discloses methods, systems and devices for testing flash memory dies.
用于控制快闪存储器装置的命令数据输入到控制器218。
Command data for controlling the flash memory device is input to the controller 218.
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