...子布植(oxygen implant)，因为业界增加在双闸极与多闸极互补金氧半元件的研究，salicide)接触，形成选择性绝缘层(selective SOI) [16]，使得通道迁移率(channel mobility)性能降低，以获取最高的绝缘层晶圆矽层品质[15]，目前的氮氧化矽(oxynitride)闸极介电层...
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形成选择性绝缘层
Form a selective insulating layer
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