的性质的气态源分子束外延生长的InGaAsP散层和型InGaAs / InGaAsP的应变补偿多量子阱（SCMQW）在GaAs上的结构进行了研究，通过双晶X-射线衍射和光致发光测量。结果发现，可以得到高质量SCMQW低于一个临界生长温度。
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应变补偿多量子阱
Strain compensated multiple quantum Wells
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