本发明总体上涉及应变绝缘体上硅(SSOI)结构，以及用于制造该结构的方法。该方法包括SSOI结构的高温热退火以提高应变硅层的结晶度，同时保持其中存在的应变。
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应变绝缘体上硅
Strain insulator on silicon
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