干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。
Fluxible PAA solution is deposited on quartz glass substrate by MicroPendirect-writing deposition process and imidized to polyimide （PI） sacrificial layer in oven;Au paste structural layers are fabricated by MicroPen direct-writing deposition technology,and finally released by oxygen plasma dry etching process.
2)聚酰亚胺／金导体浆料／石英玻璃基片材料体系，PI牺牲层采用微笔直写沉积和氧等离子体干法刻蚀工艺制作，结构层的制作采用微笔直写沉积电子浆料工艺。
参考来源 - 激光—微笔/微喷直写集成制造MEMS微结构关键技术研究The beam-fabrication process which combines ICP dry etching and KOH anisotropic self-stop etching realizes the double-sided beam-mass structure with a single (100) wafer.
梁的制作工艺结合ICP干法刻蚀和KOH各向异性自停止腐蚀,由单层(100)硅片得到双面梁-质量块结构。
参考来源 - 基于自停止腐蚀的双面梁—质量块结构加速度传感器研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术。
High aspect ratio structures have been successfully fabricated by plasma cryo-etching on silicon wafers.
对硅的干法刻蚀技术是现代半导体工业中非常重要的一项工艺。
Dry etching technique of silicon is a very important process in the modern semiconductor industry.
硅片的一部分经掩膜后进行SF6干法刻蚀，从而使集流器能够连接到外电路上。
Part of the silicon layer was masked and dry etched with SF6 gas to allow connection of the current-collector to the outside circuit.
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