...掺杂Ⅲ-Ⅴ半导体中铁磁性的发现使DMS材料在自旋电子领域展现出非常广阔的应用前景[1~5].Dietl等人[6]基于局域自旋密度近似(LSDA)指出,用磁性离子对ZnO和GaN进行p型掺杂有可能
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Local Spin Density Approximation
...文 ry)框架内,可以由局域密度近似(LDA,local density approximation)、局域自旋密度近似(LSDA,local spin density approximation)、广义梯度近似(GGA,generalized gradient approximation)和加权..
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