这是通过使用低伤害，射频辉光的放电（RFGD）进程影响。低损伤的条件下，保留原始孔隙这些RFGD处理过的材料的结构/形态，支持通过扫描电子显微镜（SEM），通过其他表面的分析...
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射频辉光放电硅烷等离子体化学汽相沉积是制备氢化非晶硅薄膜的主要工艺技术。
Plasma chemical vapor deposition in silane radio frequency glow discharge is a main fabrication technology of hydrogenated amorphous silicon (a-Si: h) films.
用椭圆偏振光谱法研究了热处理对射频辉光放电淀积的氢化非晶碳膜光学性质的影响。
Using spectroscopic ellipsometry, the influence of thermal annealing on optical properties of the plasma-deposited hydrogenated amorphous carbon films is investigated.
分析比较了灯丝放电PIII和射频辉光放电PIII对基体表面进行氮离子注入后的改性效果。
Modification effect of hot filament gas discharge PIII was compared with that of radio-frequency (RF) glow discharge PIII.
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