SIGE+BICMOS射频宽带低噪声放大器技术研究 - docin.com豆丁网 及动态范围（SFDR） 和电压驻波比（VSWR）等性能直接影响着整个射频接收系统。因此，进行LNA 设计技术的研究和积极探索对于射频集成电路（RadioFrequencyIntegratedCircuit， RFIC）设计和高性能、低成本的无线产品开发都具有很重要的意义。 本文围绕射频宽带低噪声放大器的制造工艺技术、
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SiGe BiCMOS射频宽带低噪声放大器技术研究--《重庆大学》2007年硕士论文 宽以及动态范围(SFDR)和电压驻波比(VSWR)等性能直接影响着整个射频接收系统。因此,进行LNA设计技术的研究和积极探索对于射频集成电路(Radio Frequency Integrated Circuit, RFIC)设计和高性能、低成本的无线产品开发都具有很重要的意义。 本文围绕射频宽带低噪声放大器的制造工艺技术、
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