存储器存取时间（memory access time）又称存储器访问时间，是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。主存储器得主要性能指标为主存容量﹑存储器存取时间和存储周期时间。存储器的速度一般用存储器存取时间和存储周期来表示。
在动态存储器的设计当中，增加内联结构的种类和数量，可以使存取时间加快。
In the design of a dynamic memory, as the variety and number of interconnections are increased, the access time is improved significantly.
存储器采用六管CMOS存储单元、锁存器型敏感放大器和高速译码电路，以期达到最快的存取时间。
A fast access time is achieved by using six-transistor CMOS memory cell, latched sense amplifier, and high-speed decoder circuit.
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