栅介质中制备的铁电存储器场效应的晶体管（FEMFET）的共聚物P（VDF-TrFE）分子呈现。旋涂的共聚物膜具有半结晶结构的退火后，在该晶粒包含铁电体，顺电相。
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存储器场效应的晶体管
Memory field-effect transistors
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铁电场效应晶体管（FFET）存储器能够实现非破坏性读出，是一种比较理想的存储方式，因此从一开始就受到人们极大的关注。
Due to the advantage of non-destruction read out, Ferroelectric Field Effect Transistor (FFET) is supposed to be the ideal potential memory device and has been widely investigated.
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