子电路模型（Subcircuit）：其特点在于利用仿真软件中 已有的半导器件的模型，无源器件和受控源模型，根据 所研究的器件的物理规律，组成一个新的模型。
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提出了一种PIN二极管的PSPICE子电路模型。
A new PSPICE subcircuit model of power PIN diode is developed.
从VDMOS的物理结构出发建立子电路模型，进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式。
A sub circuit model for VDMOS is built according to its physical structure. Parameters and formulas describing the device are also derived from this model.
在分析了SRAM逻辑结构中各子电路的泄漏功耗的产生机制的基础上，建立了SRAM的泄漏功耗模型，然后对SRAM的泄漏功耗进行估算。
After analyzing the producing mechanism of leakage power for each sub-circuit in SRAM, a leakage power model for each sub-circuit was established to estimate the leakage power for full SRAM.
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