...进技术节点上提出了两次曝光的方法，通过结合“193nm 的双 重图形技术”与“一个掩膜版的EUV 或无掩膜版的多电子束直写（MEBDW）线条 分割”，简化了原来的“193nm 双重图形技术”与“3~4 个掩膜版的193nm 线条分割” 工艺流程。
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多电子束直写
Multi-beam direct writing
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