...工艺的热预算必须很小，以减小活化过程中掺杂原子在硅器件中的瞬间（1～5ms）增强扩散效应（Transient-enhanced Diffusion, TED），以保护突变结的结构从而有效地控制短沟道效应。
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Transient-enhanced Diffusion
...，退火工艺的热预算必须很小，以减小活化过程中掺杂原子在硅器件中的瞬间（1～5ms）增强扩散效应（Transient-enhanced Diffusion, TED），以保护突变结的结构从而有效地控制短沟道效应。
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