MOS C-V 量测分析之主要项目： 基板掺杂型态(substrate doping type) 若在负闸极偏压下，高频电容很大，而在正闸极偏压下，高频电容很小，为p型基板(NMOS)。反之则为n型基板。
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基板掺杂型态
Substrate doping pattern
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