对于双极型晶体管少数载流子渡越中性基区的时间τB即称为基区渡越时间它与基区宽度W直接有关因为 In = Aqnp(x)v(x)dx = v(x) dt 则得到 τB = ∫o [1/v(x)] dx = ∫o [Aqnp(x)/In]dx ≈ QB / IC 对均匀基区晶体管τB = W/ ( 2 Dn )对缓变基区晶体管τB = W / (ηDn)η> 2对于基区较宽特征频率fT不是很高的晶体管τB往往是决定晶体管频率特性的主要因素这时为了提高频率性能就应当减小基区宽度可采用浅结工艺来制作薄的基区和增大电场因子η可增加基区在发射结一侧的掺杂浓度来增强漂移电场同时可提高发射区杂质分布的陡峭度以减小阻滞电场不过若掺杂浓度太高反而会使载流子的扩散系数减小故η一般控制在3~6之间