广泛的Monte Carlo模拟的稳态和瞬态运行的异质结垂直场效应晶体管（VFET）的测量和预测的截止频率的设备之间的差异，有两个原因。首先，与横向门的位置的实验显示，制造设备没有进行优化的高速性能。
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本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。
The present invention relates to one kind of FET with polysilicon source and vertical channel structure and its preparation process.
本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。
The present invention relates to one kind of FET with vertical channel structure and its preparation process.
提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的体二级管恢复速度的新方法。
A new approach to improve the high-voltage vertical double-diffused MOSFET (VDMOSFET) body-diode recovery speed is proposed.
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